SanDisk заявява, че 3D Matrix Memory е предназначена да реши сериозните проблеми с DRAM паметта, като предоставя не само по-ниски разходи, но и значително по-голям капацитет и по-добра енергийна ефективност. Новата памет ще има по-малка производствена цена и ще изисква по-малко ресурси, което я прави по-устойчива на глобалните икономически предизвикателства.

Освен това, 3D Matrix Memory ще бъде съвместима с бъдещите технологични стандарти, като CXL, което би улеснило интеграцията й в съществуващи компютърни системи. Това означава, че преходът към новата памет може да бъде по-гладък и по-бърз, отколкото се очакваше за предишни алтернативи на DRAM.

SanDisk също така подчертава, че новата памет ще бъде устойчива на промените в търсенето на памет и производствени разходи, като по този начин дава стабилност на индустрията, която в момента е изправена пред проблеми с преизпълнението на DRAM чипове и непредсказуемото им търсене. 3D Matrix Memory обещава да предостави дългосрочни икономически ползи и да помогне за стабилизиране на пазара.

Производството ще започне с тестови модули, но се очаква технологиите в 3D Matrix Memory да преминат през няколко етапа на усъвършенстване, включително постигане на по-висок капацитет и скорост. Очакванията на SanDisk са, че новата памет ще бъде основна част от бъдещето на високоскоростните и енергийно ефективни памети, които ще задоволяват нарастващото търсене за по-мощни компютърни и мобилни системи.

 ИЗТОЧНИК:technews.bg